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: 实测升降温数据（国外某客户 12”chuck）

实测升降温数据（国外某客户12”chuck）：测试条件：试数据：升温速度：从25°C升温到200°C的升温时间为22分钟，可以满足升温时间小于30分钟规格。从-55°C升温到25°C的升温时间为9分钟，可以满足升温时间小于15分钟规格。降温速度：从200°C降温到25°C的降温时间为14分钟，可以满足降温时间小于22分钟规格。从25°C降温【详情】

: 实测漏电数据（国外某客户）

实测漏电数据（国外某客户）：温度200℃，电压3000V ，漏电流远小于50pA 实测数据<6.429pA温度200℃，电压10V ，漏电流远小于2pA 实测数据<349fA温度25℃，电压3000V ，漏电流远小于50pA 实测数据<11.729pA温度25℃，电压10V ，漏电流远小于2pA 实测数据<157fA温度-55℃，电压3000V ，漏电流远小于50pA 实测数据【详情】

: 高低温卡盘产品

-60℃-200℃-60℃-300°C高低温卡盘系统【详情】

: 4寸探针台

Failure analysis 集成电路失效分析Wafer level reliability 晶元可靠性认证Device characterization 元器件特性量测Process modeling 塑性过程测试(材料特性分析)IC Process monitoring 制成监控Package part probing IC封装阶段打线品质测试ESD&TDR testing ESD和TDR测试Microwave probing 微波量测(高频)Solar太阳能【详情】

: 6寸探针台

Failure analysis 集成电路失效分析Wafer level reliability 晶元可靠性认证Device characterization 元器件特性量测Process modeling 塑性过程测试(材料特性分析)IC Process monitoring 制成监控Package part probing IC封装阶段打线品质测试ESD&TDR testing ESD和TDR测试Microwave probing 微波量测(高频)Solar太阳能【详情】

: 8寸探针台

Failure analysis 集成电路失效分析Wafer level reliability 晶元可靠性认证Device characterization 元器件特性量测Process modeling 塑性过程测试(材料特性分析)IC Process monitoring 制成监控Package part probing IC封装阶段打线品质测试ESD&TDR testing ESD和TDR测试Microwave probing 微波量测(高频)Solar太阳能【详情】

: 12寸双面探针

Chuck StageX-Y travel coarse 300 mm x 300 mmX-Y travel fine 10 mm x 10 mm （resolution < 1 µm）Z up/down 10 mmTheta travel ± 7ºPlanarity < ± 5µm 平坦度Probe Platen DriveZ trave l25mm resolution < ± 1 µmManual Microscope（1000X OR100x option）Travel rangeX-Y-Z 50 mm x 50 mm x 50 mmRes 【详情】

: 12寸探针台

Failure analysis 集成电路失效分析Wafer level reliability 晶元可靠性认证Device characterization元器件特性量测Process modeling塑性过程测试(材料特性分析)IC Process monitoring 制成监控Package part probingIC封装阶段打线品质测试ESD&TDR testing ESD和TDR测试Microwave probing 微波量测(高频)So 【详情】

: AutoCurveTracer自动曲线追踪仪

Smart-1 Auto Curve Tracer 产品规格功能说明1. 机台主要功能:Open/Short Test ( IC 之断/短路测试)Auto I / V Curve Tracing & compare function with Known-Good-Device ( 自动 I / V 曲线量测与比对分析)Unpowered & Powered Leakage test ( IC Power Pin Bias or IC Power Pin 不加电压之漏电【详情】

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