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大尺寸晶背减薄，维持最小的晶面变异UltraPrep 设计专门且特殊的功能，用于封装芯片的减薄及抛光制备。通过UltraPrep III 减薄和抛光的芯片，因为可以达成接近均匀的芯片厚度，所以适合于需要由晶背检测的应用， 它的特性还可以应用在散热片和散热器的去除，以及塑料和芯片间隔材料。用来达成将封装样品中的芯片裸露出来。 它为整个晶背的样品制备提供了一个易于使用的解决方案。 UltraPrep III 是一个小型，特殊设计的类似 CNC 加工系统，用户藉由图形接口控制，操作员选择所需的功能并
输入样品的尺寸信息进行操作。UltraPrep III 具有自动表面侦测和剖析功能，在加上视频对位装置，使的操作上快速和容易。他不需要样品调平装置，因为 UltraPrep 可以将精确地剖析样品表面，再根据存储的表面轮廓移动工具。这让不平坦或翘曲的样品在制作完成后厚度仍保持均匀。
样品经过处理后，过程参数可以保存为过程配方。最多可保存 125 个配方，每个配方可以命名自己的配方名称。独特的夹具系统可以容许样品清洁或检查，而不需要重新安装固定样品或重新对位。
| 待处理的样品安装在特殊的样品治具上，用润滑剂和研磨液进料进行处理。 另外可以安装在治具杯中。 允许让样品完全泡入润滑剂或研磨液中 |
使用标准的 ER-8 夹头可以使用带有 0.125 英寸或 3.00 毫米直径轴的标准立铣刀。 可以使用研磨，研磨和抛光工具来覆盖任何尺寸的样品。 提供了接触工具，用于在光滑表面以及可变表面（例如锡球排列样品）上进行表面测量。
| UltraPrep III 的剖析加工能力可用于移除散热器或通过移除基板来暴露 Flip chip 芯片下方的锡球 Bump。 |
| UltraPrep III 有足够能力可以加工 3 毫米厚的铜散热片，并同时保持表面轮廓。 剖析能力可以用来去除散热材料而不损坏下面的硅芯片。 它还可以从器件上去除封装的包覆物质，用来露出引线框架或芯片。 |
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| 迭 DIE、多层芯片样品可以通过特殊设计程序逐层移除。该过程测量样品表面的轮廓，然后根据测量轮廓的程序制作。 该过程可以在移除设定的厚度后自动结束，也可以通过手动及时调整移除深度，并倾斜制作中的轮廓来协助完成样品。操作者可以透过层与层的颜色变化来确定每层的裸露。 |
藉由可以重复使用的特殊工具，由更换抛光片或抛光垫对样品进行研磨和抛光。精准地控制工具垂直位置，让切削力在垂直方向几乎是零，保持切削力进作用在样品表面的平面中。 这可以防止已经封装完成的样品破裂。
通过适当的工具选择和样品参数，我们可以在样品减薄后保持原始表面轮廓+/ - 5 微米。 在制备的样品芯片具有与原始接近的均匀厚度。 • 快速简易的设置，并包含视觉对位能力 • 四角标定功能容许待工作样品有旋转角度的误差 • 简单的操作接口可达成复杂的编成程序 • 自动，系统化减薄及抛光程序 • 程控工作深度，精度达到 +/ - 1 微米 • 可移除样品治具，可以允许整个取下观察清洁但而不须将样品分离或重新固定在治具上 • 抛光研磨时，工具依照剖析后的曲面移动 • 在样品装置上不需要调平 • 芯片减博后最终厚度变异量小于 +/ - 0.005 mm • 手动输入样品厚度以进行精确的厚度控制 • 简易的移除散热片，封装材料及芯片固定胶层 • 容易取得廉价的工具使用 • 设备体积小- 占用较小的工作空间 • 样品制备时，接近零的垂直应力 |
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